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晶体管
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IPB60R160C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.9783
4494.575
1,000
¥13.6052
13605.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23.8 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPB60R160C6ATMA1 IPB6R16C6XT SP000687552
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB60R160C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJD31CTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
2,000:¥1.7854
参考库存:12900
DJT4030P-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) PNP SMT
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:32108
BFP 620F H7764
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
3,000:¥1.3899
参考库存:19292
FDB029N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NCH 60V 2.9Mohm
1:¥29.1992
10:¥24.8148
100:¥21.4361
250:¥20.3626
800:¥15.4471
2,400:查看
参考库存:6649
J271
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥31.2784
10:¥25.1312
100:¥20.6677
500:¥18.5207
参考库存:4966

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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