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晶体管
IKB03N120H2参考图片

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IKB03N120H2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
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数量单价合计
1
¥18.7467
18.7467
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
IKB03N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
9.6 A
高度
4.4 mm
长度
10.25 mm
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IKB03N120H2ATMA1 IKB3N12H2XT SP000014272
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IKB03N120H2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.60681
参考库存:11584
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
1:¥22.8938
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
参考库存:5091
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
参考库存:7968
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:14655
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:18877
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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