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FF600R12IP4

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数量单价合计
1
¥3,089.9624
3089.9624
5
¥2,903.7045
14518.5225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3.35 kW
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R12IP4BOSA1 SP000609754
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格，FF600R12IP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
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NTMFD5C680NLT1G
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IRF3710ZLPBF
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100:¥7.232
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1,000:¥5.0511
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IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
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MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5483
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:16723
PMP4201Y,135
Nexperia
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100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
10,000:¥0.83733
20,000:查看
参考库存:39985

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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