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晶体管
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DMN1008UFDF-7

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.4464
144.64
1,000
¥1.08367
1083.67
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
12.2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
13.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标
Diodes Incorporated
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.5 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
商品其它信息
优势价格，DMN1008UFDF-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3K37FS,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small Low ON Resistane MOSFETs
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:31656
FQD2N60CTM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
2,500:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:15823
APT13003DI-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
参考库存:4995
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
1:¥17.8992
10:¥14.4414
100:¥12.9837
500:¥10.0683
参考库存:43642
SPD15P10PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,500:¥5.4466
5,000:查看
参考库存:14157

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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