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晶体管
PHE13003A,126参考图片

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PHE13003A,126

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1A 2.1W
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库存:37,490(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.2713
22.713
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.63732
637.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
30
商标
WeEn Semiconductors
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934063927126
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,PHE13003A,126的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
20:¥319.6544
40:¥306.2865
100:¥277.5506
260:¥267.9456
参考库存:30706
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:30711
晶体管
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
15,000:¥3.4465
24,375:¥3.3674
参考库存:30716
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥6.9608
10,000:¥6.6896
参考库存:30721
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:30726
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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