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产品分类

晶体管
SIHH14N65EF-T1-GE3参考图片

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SIHH14N65EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存:37,042(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥19.8993
59697.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
225 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
EF
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH14N65EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.6895
100:¥3.6386
500:¥2.7233
1,000:¥2.2035
3,000:¥1.9549
参考库存:33636
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥20.2835
10:¥16.9048
100:¥13.0628
500:¥11.4469
800:¥9.5259
参考库存:7633
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:151465
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
3,000:¥0.13786
参考库存:404692
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A
1:¥10.3734
10:¥9.2208
100:¥7.2659
500:¥5.6387
参考库存:13544
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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