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晶体管

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APTGT200DA120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:29,772(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥789.6892
78968.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
280 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
890 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200DA120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Linear Constant Current VCM Driver
1:¥4.3053
10:¥3.5482
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:14044
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:73271
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
参考库存:16673
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7686
500:¥4.2149
2,500:¥2.9493
10,000:查看
参考库存:239670
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.4469
10:¥11.30
25:¥9.5259
100:¥8.6784
2,000:¥5.9438
4,000:查看
参考库存:10037
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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