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晶体管
DMTH3004LFG-7参考图片

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DMTH3004LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.5877
25.877
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
2,000
¥1.04525
2090.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH3004
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
商品其它信息
优势价格，DMTH3004LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FB10R06KL4G_B1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
20:¥319.6544
40:¥306.2865
100:¥277.5506
260:¥267.9456
参考库存:30706
DMP1022UWS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:30711
TSM60NB900CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
15,000:¥3.4465
24,375:¥3.3674
参考库存:30716
NVMFS5C410NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥6.9608
10,000:¥6.6896
参考库存:30721
PD57070S-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:30726

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