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晶体管
DMPH1006UPS-13参考图片

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DMPH1006UPS-13

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库存:14,730(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥2.9945
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
94 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,DMPH1006UPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:12552
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
1,000:¥3.9098
1,500:¥3.4691
参考库存:19059
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,000:¥4.407
参考库存:73486
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.4127
参考库存:35323
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2044
250:¥19.21
500:¥17.2099
800:¥17.2099
参考库存:20485
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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