FCPF600N60ZL1详细信息_FCPF600N60ZL1相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220F-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	7.4 A
Rds On-漏源导通电阻	600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	20 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	28 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	7 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	39 ns
典型接通延迟时间	13 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PDTC123EM,315	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.7628 10:¥1.1639 100:¥0.49155 1,000:¥0.33787 10,000:¥0.22261 20,000:查看	参考库存:53040
BC856ALT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V PNP	1:¥0.84524 10:¥0.7684 100:¥0.26894 1,000:¥0.18419 3,000:¥0.13786	参考库存:320097
DTA043EMT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.5368 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 8,000:¥0.20001 24,000:查看	参考库存:39944
PMP4501Y,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR	1:¥2.9945 10:¥2.3391 100:¥1.2656 1,000:¥0.95259 3,000:¥0.82264	参考库存:29251
APT40GR120B2D30	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8	1:¥88.366 10:¥79.5294 25:¥72.4556 50:¥67.461	参考库存:3463