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晶体管
ZXMC3F31DN8TA参考图片

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ZXMC3F31DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
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库存：9,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
500
¥2.7685
1384.25
1,000
¥2.2148
2214.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.3 A, 5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC, 12.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMC3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S, 14 S
下降时间
8 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns, 1.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMC3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN4206GTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
4,000:¥3.1075
参考库存:14151
SI7148DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:61873
SIHF23N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥26.2838
10:¥21.7412
100:¥17.8992
250:¥17.3681
500:¥16.1364
参考库存:46662
NVMFS5C468NLT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:3820
TPH2R506PL,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
1:¥16.3624
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8478
10,000:查看
参考库存:173837

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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