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晶体管
IHW20N120R3参考图片

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IHW20N120R3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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库存:5,531(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.962
30.962
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
500
¥19.436
9718
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.48 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
310 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N120R3FKSA1 IHW2N12R3XK SP000437702
单位重量
6.056 g
商品其它信息
优势价格,IHW20N120R3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.278
250:¥22.0576
500:¥19.8202
参考库存:4834
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
2,500:¥3.0962
10,000:查看
参考库存:11541
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:797188
晶体管
IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:10245
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
800:¥12.1362
2,400:查看
参考库存:17262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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