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晶体管
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STGF19NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
32 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGF19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMB30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:29971
PBLS4005D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:20406
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
4,000:¥3.4578
参考库存:25408
FD400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,543.1054
5:¥1,505.9849
10:¥1,468.5706
25:¥1,448.0498
参考库存:5440
FF75R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥278.3868
5:¥272.1718
10:¥259.7192
25:¥248.8825
参考库存:5512

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