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晶体管
STGF19NC60KD参考图片

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STGF19NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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库存:10,245(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
32 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:6660
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -500mA/-50V w/bias resistors
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:26242
晶体管
MOSFET N-Ch SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:581564
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:40621
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 6.8 Amp
1:¥462.1926
5:¥453.6611
10:¥434.9935
25:¥421.3092
参考库存:4901
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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