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晶体管
BUJD103AD,118参考图片

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BUJD103AD,118

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 700V 4A
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库存:28,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
2,500
¥2.0792
5198
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.29 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
32
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.22 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
934055993118
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,BUJD103AD,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.8422
10:¥7.1416
25:¥5.989
100:¥5.4579
250:¥5.0737
2,000:¥5.0737
参考库存:30731
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:30736
晶体管
IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.8366
参考库存:9671
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:30743
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:30748
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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