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晶体管
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VS-GP400TD60S

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DIAP
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
758 A
Pd-功率耗散
1.563 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
758 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 750 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GP400TD60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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