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晶体管
STGW40H120DF2参考图片

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STGW40H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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库存:6,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.6983
676.983
25
¥64.5456
1613.64
100
¥56.0141
5601.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H120DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8+ TECH. 30V DUAL N-CHA
1:¥6.9947
10:¥6.0116
100:¥4.6217
500:¥4.0793
3,000:¥2.8589
9,000:查看
参考库存:1605
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
5,000:¥2.938
10,000:查看
参考库存:24827
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Low Sat
1:¥7.2207
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
1,000:¥3.3222
2,000:¥3.3222
参考库存:15044
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥8.9948
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.2093
2,500:¥3.6499
10,000:查看
参考库存:6671
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.4579
100:¥3.5143
1,000:¥2.825
4,000:¥2.825
参考库存:25718
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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