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晶体管
IPP60R099P6XKSA1参考图片

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IPP60R099P6XKSA1

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库存:5,727(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.2675
39.2675
10
¥33.3463
333.463
100
¥28.9732
2897.32
250
¥27.4364
6859.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
89 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPP60R099P6 SP001114650
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R099P6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥15.142
10:¥13.9103
25:¥12.5995
100:¥11.3678
参考库存:16954
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
2,500:¥2.4973
参考库存:16936
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
参考库存:23018
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 7A 50V
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:15105
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
参考库存:18662
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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