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晶体管
CSD17309Q3参考图片

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CSD17309Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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库存:24,661(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
2,500
¥3.3335
8333.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17309Q3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
67 S
开发套件
DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.2 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
单位重量
44.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17309Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
20:¥319.6544
40:¥306.2865
100:¥277.5506
260:¥267.9456
参考库存:30706
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:30711
晶体管
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
15,000:¥3.4465
24,375:¥3.3674
参考库存:30716
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥6.9608
10,000:¥6.6896
参考库存:30721
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:30726
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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