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晶体管
STGD18N40LZT4参考图片

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STGD18N40LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
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库存:3,733(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
2,500
¥5.0059
12514.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
360 V
栅极/发射极最大电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD18N40LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGD18N40LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:14488
晶体管
MOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:32400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:21132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:16049
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
2,000:¥3.9098
参考库存:184496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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