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晶体管
IPP052N06L3 G参考图片

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IPP052N06L3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:13,469(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
58 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPP052N06L3GXKSA1 IPP52N6L3GXK SP000680802
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP052N06L3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
5,000:¥7.91
10,000:查看
参考库存:26655
晶体管
MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
1:¥266.4088
100:¥256.1032
参考库存:5302
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:26229
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:26234
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
5,000:¥9.9101
参考库存:26239
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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