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晶体管
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SIHB12N60ET1-GE3

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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.2943
1029.43
500
¥9.0626
4531.3
1,000
¥7.4693
7469.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SIHB12N60ET1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N1724A
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500:¥104.8075
参考库存:30253

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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