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晶体管
NTMD3P03R2G参考图片

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NTMD3P03R2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V 3.05A P-Channel
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2602
62.602
100
¥4.8138
481.38
500
¥4.2488
2124.4
2,500
¥2.9832
7458
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.05 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
NTMD3P03
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
35 ns, 45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns, 16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 12 ns
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,NTMD3P03R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 20MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:31720
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JFET JFET N-CH 40V 100mA
1:¥3.3787
10:¥3.0171
25:¥2.7233
100:¥2.3843
3,000:¥1.2995
6,000:查看
参考库存:91462
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:4639
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:94976
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 40V
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
参考库存:9518
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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