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晶体管
IRGP50B60PDPBF参考图片

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IRGP50B60PDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
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数量单价合计
1
¥66.2406
66.2406
10
¥59.8561
598.561
25
¥57.0876
1427.19
100
¥49.5618
4956.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
370 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536552
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP50B60PDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 15W NPN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.1696
1,000:¥1.6837
2,500:¥1.4351
参考库存:19404
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:7136
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 50MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:51318
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:20600
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:30092
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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