PSMN012-60YS,115详细信息_PSMN012-60YS,115相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFPAK56-5
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	59 A
Rds On-漏源导通电阻	17.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	28.4 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	89 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	5 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel LFPAK 60 V 11.1 mOhms Standard Level MOSFET
宽度	4.1 mm
商标	Nexperia
下降时间	8.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	12.6 ns
工厂包装数量	1500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	28.7 ns
典型接通延迟时间	15.2 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2SC5661T2LP	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA	1:¥3.3787 10:¥2.7459 100:¥1.6724 1,000:¥1.2995 8,000:¥1.02943 24,000:查看	参考库存:20234
UM6J1NTN	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 0.2A 6PIN	1:¥4.0002 10:¥3.0171 100:¥1.6272 1,000:¥1.2204 3,000:¥1.05316	参考库存:208686
FCX491TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power	1:¥3.4578 10:¥2.9154 100:¥1.7854 1,000:¥1.3786 2,000:¥1.1752	参考库存:59773
SI8489EDB-T2-E1	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1	1:¥3.6838 10:¥2.8476 100:¥2.1131 500:¥1.7402 1,000:¥1.3447 3,000:¥1.3447	参考库存:67805
STGW25M120DF3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss	1:¥65.7773 10:¥59.4719 25:¥56.7034 100:¥49.1776	参考库存:7052