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FF150R17KE4

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数量单价合计
1
¥887.8071
887.8071
5
¥871.5238
4357.619
10
¥832.2563
8322.563
25
¥804.5148
20112.87
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
250 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1100 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R17KE4HOSA1 SP000713524
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF150R17KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3022LFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1,000:¥3.0397
3,000:¥3.0397
参考库存:37015
APT6029BFLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥140.0748
5:¥134.6282
10:¥129.5545
25:¥119.102
参考库存:37020
DMJ65H190SCTI
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220AB TUBE 50PCS
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:37025
TDTA114E,LM
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 10KOhm / 10KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:37030
RQ1A070APTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:21585

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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