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晶体管
FJAF4210RTU参考图片

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FJAF4210RTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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库存:6,606(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.973
24.973
10
¥21.2101
212.101
100
¥18.4416
1844.16
250
¥17.4472
4361.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 140 V
集电极—基极电压 VCBO
- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJAF4210
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
16.7 mm (Max)
长度
15.7 mm (Max)
宽度
5.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
360
子类别
Transistors
零件号别名
FJAF4210RTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FJAF4210RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7320
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4982
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992294
晶体管
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1:¥670.0448
100:¥644.3034
参考库存:8666
晶体管
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1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:110113
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    50万现货SKU

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