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晶体管
GS61004B-E01-MR参考图片

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GS61004B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 100V 45A E-Mode GaN
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数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥41.8778
418.778
25
¥39.9568
998.92
250
¥37.1092
9277.3
1,000
¥36.0357
36035.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.52 mm
长度
4.55 mm
产品
MOSFET
系列
GS6100x
宽度
4.35 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS61004B-E01-MR
商品其它信息
优势价格，GS61004B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC856AW,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
3,000:¥0.16159
9,000:¥0.13786
24,000:¥0.13108
45,000:¥0.11526
99,000:¥0.09266
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NVMFD5C668NLWFT1G
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1,500:¥5.2658
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9,000:¥4.8703
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9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:35819

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    50万现货SKU

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