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晶体管
SQD40N06-14L_GE3参考图片

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SQD40N06-14L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified
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库存:21,048(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.9838
14.9838
10
¥13.5261
135.261
100
¥10.8367
1083.67
500
¥8.4524
4226.2
2,000
¥6.328
12656
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SQD40N06-14L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
500:¥11.6051
参考库存:84974
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 10kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:30866
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
1:¥862.0657
参考库存:2698
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:82165
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:38072
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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