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晶体管
SISS64DN-T1-GE3参考图片

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SISS64DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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库存：21,985(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7687
676.87
500
¥5.8195
2909.75
1,000
¥4.5991
4599.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SISS64DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD5805NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
2,500:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.3843
参考库存:31709
AFV121KHR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
参考库存:31714
BUK7511-55A,127
Nexperia
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
暂无价格
参考库存:31719
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
2,500:¥3.2996
参考库存:19654
IPP60R280P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:9656

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    50万现货SKU

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