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晶体管
SISS64DN-T1-GE3参考图片

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SISS64DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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库存：21,985(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7687
676.87
500
¥5.8195
2909.75
1,000
¥4.5991
4599.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SISS64DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM200GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 200A 3-PHASE
1:¥2,094.6584
5:¥2,044.2491
10:¥1,993.5347
25:¥1,965.5672
参考库存:24266
DRC9143T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:24271
JANSF2N7380
Microsemi
晶体管
MOSFET RH Mosfet
50:¥3,715.44
参考库存:24276
2SC4132T100P
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 120V 1.5A
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,000:¥2.0001
参考库存:24281
BSM20GP60
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 20A PIM
1:¥653.0609
5:¥641.0716
10:¥612.2566
25:¥591.8262
参考库存:24286

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    50万现货SKU

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