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晶体管
SQJB68EP-T1_GE3参考图片

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SQJB68EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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库存:19,614(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.7291
57.291
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.5934
1796.7
3,000
¥2.6103
7830.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.6 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,SQJB68EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:33005
晶体管
MOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:10512
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
2,500:¥1.3334
参考库存:14314
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:32941
晶体管
IGBT 晶体管 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.0624
参考库存:27503
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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