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晶体管
DMG6602SVTQ-7参考图片

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DMG6602SVTQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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库存：650,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.4 A, 2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6602
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
4 S, 6 S
下降时间
3 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns, 7.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 4.8 ns
商品其它信息
优势价格，DMG6602SVTQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBF170
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Ch Enhance
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.47686
参考库存:263839
ZXTN25040DFLTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V HG Tran.
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:34736
NSV40301MZ4T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
参考库存:18673
FF300R12ME4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,064.46
5:¥1,043.5663
10:¥994.9198
25:¥974.0261
参考库存:4145
APT56M50B2
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥90.7503
10:¥82.5239
25:¥76.2976
50:¥72.1505
参考库存:4352

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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