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晶体管
DMG6602SVTQ-7参考图片

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DMG6602SVTQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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库存:650,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.4 A, 2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6602
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
4 S, 6 S
下降时间
3 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns, 7.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 4.8 ns
商品其它信息
优势价格,DMG6602SVTQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SC70-6 P-CH -25V
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:49542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:9334
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥8.2942
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:18606
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
参考库存:5923
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA124EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:29550
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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