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晶体管
NTMFS6D1N08HT1G参考图片

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NTMFS6D1N08HT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5823
758.23
500
¥6.7009
3350.45
1,000
¥5.2997
5299.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
89 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格，NTMFS6D1N08HT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC566030R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
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45,000:¥0.73789
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MM3007
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2N5374
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3,000:¥3.729
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PSMN025-100D,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
10,000:¥5.1754
参考库存:31080

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