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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363T-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V, 30 V
Id-连续漏极电流	1 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻	240 mOhms, 390 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	700 mV, 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压	4.5 V
Qg-栅极电荷	1.6 nC, 2.1 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	1 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.77 mm
长度	2 mm
系列	US6M2
晶体管类型	1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
类型	MOSFET
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
下降时间	6 ns, 10 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	9 ns, 8 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间	7 ns, 9 ns
零件号别名	US6M2
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC848BHZGT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V	1:¥1.2317 10:¥1.09158 100:¥0.3842 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:42824
FJV3104RMTF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/47K 47K	1:¥1.5368 10:¥1.4012 100:¥0.49155 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:16266
IRFZ44ESTRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC	1:¥9.7632 10:¥8.3733 100:¥6.441 500:¥5.6952 800:¥4.4974	参考库存:4133
SSM3K318R,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small Signal Mosfet	1:¥3.616 10:¥2.3843 100:¥1.3334 1,000:¥0.96841 3,000:¥0.83733	参考库存:192080
SI3477DV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -12V Vds 10V Vgs TSOP-6	1:¥6.7574 10:¥5.9438 100:¥4.6104 500:¥3.4578 1,000:¥2.8024 3,000:¥2.4747	参考库存:43397