RN1118MFV(TPL3)详细信息_RN1118MFV(TPL3)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1118MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	25 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBF170	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enhance	1:¥2.9154 10:¥1.9097 100:¥0.82264 1,000:¥0.63054 3,000:¥0.47686	参考库存:263839
ZXTN25040DFLTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V HG Tran.	1:¥3.1527 10:¥2.6329 100:¥1.6159 1,000:¥1.243 3,000:¥1.05994	参考库存:34736
NSV40301MZ4T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP	1:¥4.9155 10:¥4.0454 100:¥2.6103 1,000:¥2.0905 2,000:¥1.7628	参考库存:18673
FF300R12ME4_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V	1:¥1,064.46 5:¥1,043.5663 10:¥994.9198 25:¥974.0261	参考库存:4145
APT56M50B2	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS8	1:¥90.7503 10:¥82.5239 25:¥76.2976 50:¥72.1505	参考库存:4352