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晶体管
JANTX2N3735/TR参考图片

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JANTX2N3735/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥106.8076
10680.76
250
¥97.3608
24340.2
500
¥91.1345
45567.25
1,000
¥83.5974
83597.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.9 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
150 at 500 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 1 A, 1.5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTX2N3735/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA15M120DF3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:10245
FDC6310P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:37697
RN4910,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:37702
DMN3013LDG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:37707
PMN48XPAX
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:37712

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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