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晶体管
IPD80P03P4L-07参考图片

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IPD80P03P4L-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6218
662.18
500
¥5.8534
2926.7
2,500
¥4.0906
10226.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPD80P03P4L07ATMA1 IPD8P3P4L7XT SP000396296
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD80P03P4L-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN62D0UT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:14235
PUMH7,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48187
BC817-25 RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26894
参考库存:60564
IPP60R385CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.8366
参考库存:4196
NTJS3151PT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:45893

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    50万现货SKU

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