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晶体管
IPW65R019C7FKSA1参考图片

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IPW65R019C7FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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库存:7,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥150.4482
150.4482
5
¥148.9114
744.557
10
¥138.7753
1387.753
25
¥132.549
3313.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
215 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPW65R019C7 SP000928646
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R019C7FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
3,000:¥2.7346
参考库存:15740
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
1,000:¥13.5261
2,000:查看
参考库存:4737
晶体管
MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥21.5152
10:¥17.8992
100:¥13.8312
500:¥12.1362
2,000:¥9.379
4,000:查看
参考库存:29064
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥48.1832
10:¥40.9512
100:¥35.5046
250:¥33.6514
2,000:¥24.2046
参考库存:22246
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥51.3246
10:¥46.4091
25:¥44.2621
100:¥38.42
2,000:¥28.0466
参考库存:41908
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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