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晶体管
TPN3300ANH,LQ参考图片

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TPN3300ANH,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
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库存:40,518(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.6048
56.048
100
¥3.616
361.6
1,000
¥2.8928
2892.8
3,000
¥2.4408
7322.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN3300ANH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,TPN3300ANH,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:9101
晶体管
MOSFET SOT-23 P-CH LOGIC
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:346413
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:6490
晶体管
MOSFET -30V -4.7A P-Channel
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89157
参考库存:68122
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
1:¥127.6335
10:¥107.35
100:¥98.7394
250:¥90.061
参考库存:4564
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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