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晶体管
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JAN2N3439

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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数量单价合计
1
¥165.5111
165.5111
10
¥150.4482
1504.482
25
¥139.2386
3480.965
50
¥131.7015
6585.075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 20 mA, 10 V
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 20 mA, 10 V
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JAN2N3439的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:33961

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