BCR 108 E6433详细信息_BCR 108 E6433相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR108
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	50 V
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR108E6433HTMA1 BCR18E6433XT SP000010737
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RN2131MFV(TPL3)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms	暂无价格	参考库存:32113
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JANTX2N6987/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥309.281 250:¥288.6924	参考库存:32123
TPC8049-H(TE12L,Q)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET N-CH 60V 13A	暂无价格	参考库存:32128
STW12NK95Z	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH	1:¥39.7986 10:¥33.8096 100:¥29.3574 250:¥27.8206	参考库存:5978