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晶体管
IPSA70R1K2P7SAKMA1参考图片

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IPSA70R1K2P7SAKMA1

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库存：5,809(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7064
37.064
100
¥2.3956
239.56
1,000
¥1.921
1921
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
980 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
4.8 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPSA70R1K2P7S SP001664784
商品其它信息
优势价格，IPSA70R1K2P7SAKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMP4201G,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:6157
FS10R12YE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A
1:¥313.0439
5:¥306.0492
10:¥292.0711
25:¥279.9236
参考库存:1224
P85W28HP2F-7071
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:1231
CSD17553Q5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
2,500:¥4.3166
10,000:查看
参考库存:11598
BCP5410TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:16115

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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