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晶体管
IKFW90N60EH3XKSA1参考图片

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IKFW90N60EH3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 90 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.
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数量单价合计
1
¥81.8346
81.8346
10
¥73.9246
739.246
25
¥70.5346
1763.365
100
¥61.246
6124.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
77 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
77 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKFW90N60EH3 SP001502666
商品其它信息
优势价格，IKFW90N60EH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTLUS3C18PZTBG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:17696
2N7002DW
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.3787
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:302698
TIP35C
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:14120
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
晶体管
MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9043
1,000:¥5.7178
3,000:¥5.3223
参考库存:32377
ZXTD6717E6TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Comp Dual
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:32559

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    50万现货SKU

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