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晶体管
IRGS10B60KDTRRP参考图片

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IRGS10B60KDTRRP

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库存:8,055(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.3624
4090.6
800
¥12.3735
9898.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
22 A
封装 / 箱体
D-PAK-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535740
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS10B60KDTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
1:¥3,276.2994
参考库存:2408
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:60625
晶体管
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1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.72207
1,000:¥0.5537
8,000:¥0.37629
24,000:查看
参考库存:32247
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:97814
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥72.2296
10:¥65.0089
25:¥59.1668
50:¥55.1666
参考库存:2721
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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