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晶体管
IRGS30B60KTRRP参考图片

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IRGS30B60KTRRP

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库存:7,338(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥26.3516
263.516
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
800
¥16.3624
13089.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
370 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535976
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS30B60KTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
800:¥2.7007
2,400:¥2.2939
参考库存:29354
晶体管
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.4521
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:128436
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥5.2545
3,000:¥4.8703
参考库存:18313
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:2695
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:36837
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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