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晶体管
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ARF463AG

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:4,960(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,ARF463AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
1:¥51.0986
10:¥46.1831
25:¥44.0248
100:¥38.2618
1,000:¥28.9732
2,000:查看
参考库存:9145
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥366.4477
250:¥342.0171
参考库存:33302
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,585.4352
参考库存:33307
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥114.7176
250:¥104.5815
500:¥97.8128
1,000:¥89.7446
参考库存:33312
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥304.2864
250:¥284.0029
参考库存:33317
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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