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晶体管
DMC31D5UDJ-7B参考图片

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DMC31D5UDJ-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
2,500
¥1.00683
2517.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
220 mA, 200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms, 5.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
380 pC, 350 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMC31
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
7.5 ns, 8.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns, 5.2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns, 18.8 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns, 3.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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MOSFET T6 60V HEFET
5,000:¥10.8367
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
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5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
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1:¥4.6104
10:¥3.842
100:¥2.9041
500:¥2.1244
2,500:¥1.4577
10,000:查看
参考库存:23321
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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