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晶体管
IRG4PC30UPBF参考图片

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IRG4PC30UPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
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库存:20,405(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.8996
25.8996
10
¥22.0576
220.576
100
¥19.1309
1913.09
250
¥18.1365
4534.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
23 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536064
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC30UPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV high performance PNP power transistor
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:39866
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥17.5941
10:¥16.4415
100:¥13.2888
500:¥10.3734
2,000:¥7.8422
4,000:查看
参考库存:13663
晶体管
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
参考库存:9015
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:94017
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:46924
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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