BSS214NWH6327XTSA1详细信息_BSS214NWH6327XTSA1相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：124,660(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Id-连续漏极电流	1.5 A
Rds On-漏源导通电阻	106 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	700 mV
Vgs - 栅极-源极电压	12 V
Qg-栅极电荷	800 pC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	500 mW (1/2 W)
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.9 mm
长度	2 mm
产品	OptiMOS 2
系列	BSS214
晶体管类型	1 N-Channel
类型	OptiMOS 2 Small Signal Transistor
宽度	1.25 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	4 S
下降时间	1.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	7.8 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	6.8 ns
典型接通延迟时间	4.1 ns
零件号别名	BSS214NW BSS214NWH6327XT H6327 SP000917560
单位重量	5 mg

商品其它信息

优势价格，BSS214NWH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MCH3478-TL-W	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE	1:¥2.9154 10:¥2.1922 100:¥1.1865 1,000:¥0.89157 3,000:¥0.7684	参考库存:17701
IRFS3107TRLPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg	1:¥30.51 10:¥25.8996 100:¥22.4418 250:¥21.2892 500:¥19.1309 800:¥16.4415	参考库存:21148
DTC124ECAT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:43525
MMBT3904-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA	1:¥0.84524 10:¥0.83733 100:¥0.29945 1,000:¥0.20001 3,000:¥0.15368	参考库存:7550432
MRFE6VP100HR5	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM	1:¥691.0967 5:¥677.7288 10:¥655.287 25:¥627.5568 50:¥618.9462	参考库存:2124