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晶体管
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IRG4PH50SPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V DC-1kHz
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库存：4,566(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.1042
50.1042
10
¥42.5671
425.671
100
¥36.8832
3688.32
250
¥34.9622
8740.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
57 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
33 A
高度
20.7 mm (Max)
长度
15.87 mm (Max)
宽度
5.31 mm (Max)
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533562
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PH50SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4921G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 40V 30W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
参考库存:7488
2SC6097-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.4634
700:¥1.9775
2,100:¥1.6611
参考库存:16545
2N4858
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2677
DME501010R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.5029
500:¥1.3447
3,000:¥0.84524
9,000:查看
参考库存:27314
SSM6P41FE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.72A VDSS=-20V
1:¥3.5369
10:¥2.3504
100:¥1.3108
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:33071

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    50万现货SKU

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