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晶体管
IPP80R900P7XKSA1参考图片

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IPP80R900P7XKSA1

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库存:2,165(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2998
729.98
500
¥6.4523
3226.15
1,000
¥5.0963
5096.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP80R900P7 SP001633486
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPP80R900P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
3,000:¥10.6785
参考库存:8114
晶体管
MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
3,000:¥3.4239
9,000:查看
参考库存:8966
晶体管
MOSFET 60V P-Chnl UMOS
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:63703
晶体管
达林顿晶体管 BIP PNP 2A 100V TR
1:¥6.5314
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
2,500:¥2.3391
参考库存:13730
晶体管
MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:9842
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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